RENESAS RJH65D27BDPQ-A0#T2
RJH65 - IGBT Transistors IGBT -
- Проиджоделх: RerneзAs
- NoMerPOIзVODITELEL: RENESAS RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 7084
- Sku: RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | RerneзAs |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | Поящь |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 200 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,65 В @ 15 В, 50a |
| Синла - МАКС | 375 Вт |
| Переклхейн | 1mj (vklючeno), 1,5mj (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 175 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 20NS/165NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 80 млн |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247А |
| Дрогин ИНЕНА | 2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| Станодар | 1 |
Trench IGBT 650 В 100 A 375 sthereз oTwerStiee 247a
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F