Парметр | |
---|---|
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1,99 -е |
Прирост | 19db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,35 а |
Питани - В.О. | 60 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | H-34288G-4/2 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-34288G-4/2 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Управо |
Htsus | 0000.00.0000 |
Дрогин ИНЕНА | SP001028954 |
Станодадж | 1 |