Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR
CTLDM303N-M832DS Tr
- Проиджоделх: Central Semiconductor Corp
- NoMerPOIзVODITELEL: Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3918
- Sku: CTLDM303N-M832DS Tr
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Верный | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 3000 |
| Млн | Central Semiconductor Corp |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
| FET FUONKSHINA | - |
| Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3.6a |
| Rds on (max) @ id, vgs | 40mohm @ 1,8a, 4,5 |
| Vgs (th) (max) @ id | 1,2- 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 13NC @ 4,5 |
| Взёр. | 590pf @ 10 a. |
| Синла - МАКС | 1,65 Вт |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8-tdfn oftkrыtaiNavaIn-o |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TLM832DS |
| Baзowый nomer prodikta | CTLDM303N |
MOSFET ARRAY 30 В 3,6A 1,65.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740