Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Поднос |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 920 мг ~ 960 мг |
Прирост | 18 дБ |
В конце | 30 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 175 млн |
Питани - В.О. | 50 st |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 2-Flatpack, FIN Leads, Flanged |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-34288-2 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | 5A991G |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP000688948 |
Станодадж | 40 |
RF MOSFET 30 В 175 Ма 920 мг ~ 960 мг. 18 дБ 50 Вт H-34288-2