| Параметры |
| Производитель | Рочестер Электроникс, ООО |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-ЦОП II |
| Другие имена | 2156-RMLV0408EGSB-4S2#AA1 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 45 нс, 32-TSOP II