| Параметры |
| Производитель | Рочестер Электроникс, ООО |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 512К х 16, 1М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 52-ТФСОП (ширина 0,350 дюйма, 8,89 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 52-ЦОП II |
| Другие имена | 2156-RMLV0816BGSD-4S2#AC0 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 8 Мбит, параллельная, 45 нс, 52-TSOP II