| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ЭСППЗУ |
| Технология | ЭСППЗУ |
| Размер | 128Кбит |
| Организация | 16К х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 20 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 3,5 мс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ТССОП-Б |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Стандартный пакет | 3000 |
ИС память EEPROM 128 Кбит SPI 20 МГц 8-TSSOP-B