| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ЭСППЗУ |
| Технология | ЭСППЗУ |
| Размер | 128Кбит |
| Организация | 16К х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 20 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 3,5 мс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-УФДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | ВСОН008X2030 |
| Базовый номер продукта | БР25Х128 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0051 |
| Другие имена | 846-BR25H128NUX-5ACTR |
| Стандартный пакет | 4000 |
ИС память EEPROM 128 Кбит SPI 20 МГц VSON008X2030