Rohm Semiconductor BSM450D12P4G102 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник BSM450D12P4G102

1200В, 447А, ПОЛУМОСТ, ПОЛНЫЙ С

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник BSM450D12P4G102
  • Упаковка: Коробка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8015
  • Артикул: БСМ450Д12П4Г102
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Коробка
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 N-канала
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 447А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,8 В @ 218,4 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 44000пФ при 10 В
Мощность - Макс. 1,45 кВт (Тс)
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Базовый номер продукта БСМ450
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Другие имена 846-БСМ450Д12П4Г102
Стандартный пакет 4
Модуль Mosfet Array 1200 В 447 А (Tc) 1,45 кВт (Tc) для монтажа на шасси