ROHM Semiconductor DTD123ECHZGT116
DTD123ECHZG - ВСОКА
- Проиджоделх: ROHM Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor DTD123ECHZGT116
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2
- Sku: DTD123ECHZGT116
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 500 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 2.2 Ком |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 2.2 Ком |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 39 @ 50ma, 5в |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 мВ 2,5 май, 50 |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
| ASTOTA - PRERESHOD | 200 мг |
| Синла - МАКС | 200 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SST3 |
| Baзowый nomer prodikta | DTD123 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодадж | 3000 |
Предварительно смеченный биполярный транзистор (BJT) NPN-предварительно смещенная 50 В 500 мА 200 МГц 200 МВт поверхностное Креплхейн SST3
