Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 600 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 9А (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В, 12 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 260mohm @ 5a, 12в |
Vgs (th) (max) @ id | 6- @ 1,4 мая |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 890 pf @ 100 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 54W (TC) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220FM |
PakeT / KORPUES | 220-3- |
Baзowый nomer prodikta | R6014 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-R6014ynxc7g |
Станодадж | 50 |
N-kanal 600-9A (TC) 54W (TC).