| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 650 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 20А (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 205mohm @ 9.5a, 10 |
| Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 630 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 61 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 1400 pf @ 25 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 68 Вт (ТС) |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | To-3pf |
| PakeT / KORPUES | TO-3P-3 Full Pack |
| Baзowый nomer prodikta | R6520 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 846-R6520enzc8 |
| Станодар | 30 |
N-kanal 650-20A (TC) 68W (TC).
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740