ROHM Semiconductor RD3G03BBGTL1

NCH 40V 65A, DO 252, Power Mosfe

Проиджоделх: ROHM Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor RD3G03BBGTL1
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: RD3G03BBGTL1
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5900

Эkst цena:$1.5900

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	35A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	6,5mohm @ 35a, 10
Vgs (th) (max) @ id	2,5 h @ 1ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	18,2 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1170 pf @ 20 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	50 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500

N-kanal 40- 35A (TC) 50 yt (tc)