ROHM Semiconductor RD3P01Battl1

PCH -100V -10A Power MOSFET: RD3

Проиджоделх: ROHM Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor RD3P01Battl1
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: Rd3p01battl1
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.2400

Эkst цena:$1.2400

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	10А (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	240mohm @ 5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	19,4 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	660 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	25
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Baзowый nomer prodikta	RD3P01
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500

P-KANAL 100-10A (TA) 25-й (TA) POWRхNOSTNOE