Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 50a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 6 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 41mohm @ 25a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 110 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 4620 PF @ 50 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 101 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | RD3P05 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Станодадж | 2500 |
P-KANAL 100-50A (TA) 101W (TA) POWRхNOSTNOE