Rohm Semiconductor RD3R05BBHTL1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RD3R05BBHTL1

НЧ 150В 50А, ТО-252, СИЛОВОЙ MOSF

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RD3R05BBHTL1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4170
  • Артикул: РД3Р05ББХТЛ1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.1000

Дополнительная цена:$3.1000

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) 89 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта РД3Р05
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 29 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2150 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Н-канальный 150 В 50 А (Та) 89 Вт (Та) для поверхностного монтажа ТО-252