Rohm Semiconductor RF4P060BGTCR - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RF4P060BGTCR

НЧ 100В 6А, HUML2020L8, POWER M

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RF4P060BGTCR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2879
  • Артикул: RF4P060BGTCR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9300

Дополнительная цена:$0,9300

Подробности

Теги

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 305 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДФН2020-8С
Пакет/ключи 8-PowerUDFN
Базовый номер продукта RF4P060
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 53 мОм при 6 А, 10 В
N-канал 100 В 6А (Та) 2 Вт (Та) для поверхностного монтажа DFN2020-8S