Rohm Semiconductor RGS50TSX2DGC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGS50TSX2DGC11

IGBT ТРЕНЧ FLD 1200В 50А TO247N

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGS50TSX2DGC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 441
  • Артикул: RGS50TSX2DGC11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.8200

Дополнительная цена:$9.8200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 75 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс. 395 Вт
Переключение энергии 1,4 мДж (вкл.), 1,65 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 67 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 37 нс/140 нс
Условия испытаний 600В, 25А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 182 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Н
Базовый номер продукта РГС50
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RGS50TSX2DGC11
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 1200 В 50 А 395 Вт сквозное отверстие TO-247N