ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11

IGBT Trench Fld 650V 114A DO 247N

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $9.7900

Эkst цena:$9.7900

Подробнеси

Парметр
Дрогин ИНЕНА	846-RGSX5TS65EGC11
Станодар	30
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	В аспекте
ТИП ИГБТ	По -прежнему
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	650
Current - Collector (IC) (MMAKS)	114 А.
Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	225 а
Vce (on) (max) @ vge, ic	2.15V @ 15V, 75A
Синла - МАКС	404 Вт
Переклхейн	3,44MJ (ON), 1,9MJ (OFF)
ТИПВ	Станода
ЗArAd -vvoROT	79 NC
TD (ON/OFF) @ 25 ° C	43ns/113ns
ИСЛОВЕЕ ИСПАН	400V, 75A, 10OM, 15 В
ВОЗНАЯ ВОЗНА	116 м
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	247-3
ПАКЕТИВАЕТСЯ	TO-247N
Baзowый nomer prodikta	RGSX5TS65
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095

Полевое поле IGBT Стоп 650 В 114 A 404.