ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC13
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
- Проиджодел: ROHM Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC13
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1190
- Sku: RGT00TS65DGC13
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Активна |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 85 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 150 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 50a |
| Синла - МАКС | 277 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 94 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 42NS/137NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 54 м |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-247G |
| Baзowый nomer prodikta | RGT00 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 846-RGT00TS65DGC13 |
| Станодадж | 600 |
Igbt Trench Leat stop 650 V 85 A 277.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F