Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC13 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGT00TS65DGC13

IGBT TRNCH ПОЛЮС 650В 85А TO247G

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGT00TS65DGC13
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1190
  • Артикул: РГТ00ТС65ДГК13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.3000

Дополнительная цена:$11.3000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 85 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 150 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В при 15 В, 50 А
Мощность - Макс. 277 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 94 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 42 нс/137 нс
Условия испытаний 400В, 50А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 54 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Г
Базовый номер продукта РГТ00
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RGT00TS65DGC13
Стандартный пакет 600
IGBT Trench Field Stop 650 В 85 А 277 Вт сквозное отверстие TO-247G