ROHM Semiconductor RGTH60TS65GC13
IGBT Trench Field 650V 58A DO 247
- Проиджоделх: ROHM Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor RGTH60TS65GC13
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7831
- Sku: RGTH60TS65GC13
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 58 А. |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 120 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 30a |
| Синла - МАКС | 194 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 58 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 27ns/105ns |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 30. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247 |
| Baзowый nomer prodikta | RGTH60 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 846-RGTH60TS65GC13 |
| Станодадж | 30 |
Стоп траншеи IgBT 650 В 58 А.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F