Rohm Semiconductor RGTV80TS65GC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGTV80TS65GC11

IGBT TRNCH ПОЛЮС 650В 78А TO247N

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGTV80TS65GC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 450
  • Артикул: РГТВ80ТС65ГК11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.6000

Дополнительная цена:$5.6000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 78 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 160 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В при 15 В, 40 А
Мощность - Макс. 234 Вт
Переключение энергии 1,02 мДж (вкл.), 710 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 81 н.к.
Td (вкл/выкл) при 25°C 39 нс/113 нс
Условия испытаний 400В, 40А, 10Ом, 15В
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Н
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 650 В 78 А 234 Вт сквозное отверстие TO-247N