Rohm Semiconductor RGW80TK65EGVC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGW80TK65EGVC11

IGBT TRNCH ПОЛЮС 650В 39А TO3PFM

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGW80TK65EGVC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 450
  • Артикул: RGW80TK65EGVC11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.3400

Дополнительная цена:$7.3400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 39 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 160 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В при 15 В, 40 А
Мощность - Макс. 81 Вт
Переключение энергии 760 мкДж (вкл.), 720 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 110 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 44 нс/143 нс
Условия испытаний 400В, 40А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 102 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-3ПФМ, СК-93-3
Поставщик пакета оборудования ТО-3ПФМ
Базовый номер продукта РГВ80
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RGW80TK65EGVC11
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 650 В 39 А 81 Вт сквозное отверстие ТО-3ПФМ