ROHM Semiconductor RGWX5TS65DGC11
IGBT Trench FLD 650V 132A DO 247N
- Проиджоделх: ROHM Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor RGWX5TS65DGC11
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9572
- Sku: RGWX5TS65DGC11
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ROHM Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | В аспекте |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 132 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 300 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,9 В @ 15V, 75A |
| Синла - МАКС | 348 Вт |
| Переклхейн | 2,39MJ (ON), 1,68MJ (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 213 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 64NS/229NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400V, 75A, 10OM, 15 В |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 101 м |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-247N |
| Baзowый nomer prodikta | RGWX5TS65 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 846-RGWX5TS65DGC11 |
| Станодадж | 30 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 132 A 348.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F