Rohm Semiconductor RGWX5TS65DGC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGWX5TS65DGC11

IGBT TRENCH FLD 650В 132A TO247N

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGWX5TS65DGC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9572
  • Артикул: RGWX5TS65DGC11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.1700

Дополнительная цена:$8.1700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 132 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 300 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В @ 15 В, 75 А
Мощность - Макс. 348 Вт
Переключение энергии 2,39 мДж (вкл.), 1,68 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 213 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 64 нс/229 нс
Условия испытаний 400В, 75А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 101 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Н
Базовый номер продукта RGWX5TS65
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RGWX5TS65DGC11
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 650 В 132 А 348 Вт сквозное отверстие TO-247N