Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RH6R025BHTB1

НЧ 150В 25А, HSMT8, МОЩНЫЙ МОСФЕ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RH6R025BHTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: RH6R025BHTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8900

Дополнительная цена:$1,8900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 60 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1010 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2 Вт (Та), 59 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-HSMT (3,2x3)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта RH6R025
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 150 В 25 А (Ta) 2 Вт (Ta), 59 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSMT (3,2x3)