ROHM Semiconductor RQ3E100BNTB1

NCH 30V 21a Power MOSFET: RQ3E10

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.0700

Эkst цena:$1.0700

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	10a (ta), 21a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	10,4mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 h @ 1ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	22 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1100 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2W (TA), 15W (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-HSMT (3,2x3)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Baзowый nomer prodikta	RQ3E100
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 30- 10A (ta), 21a (tc) 2w (ta), 15-й (Tc) poverхnostnoe krepleonee 8-hsmt (3,2x3)