Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB1

Ром Полупроводник RQ3E180BNTB1

НЧ 30В 39А МОП-транзистор СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ:

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RQ3E180BNTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: RQ3E180BNTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $2.0300

Дополнительная цена:$2.0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18А (Та), 39А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,9 мОм при 18 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 72 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3500 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2 Вт (Та), 20 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-HSMT (3,2х3)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта RQ3E180
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 18 А (Ta), 39 А (Tc) 2 Вт (Ta), 20 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSMT (3,2х3)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.