Rohm Semiconductor RS1E350BNTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RS1E350BNTB1

НЧ 30В 80А МОЩНЫЙ МОП-транзистор: RS1E35

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RS1E350BNTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: RS1E350BNTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.1300

Дополнительная цена:$3.1300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Та), 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,7 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 185 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7900 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 35 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХСОП
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта RS1E
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 30 В 35 А (Ta), 80 А (Tc) 3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSOP