Rohm Semiconductor RS1P600BHTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RS1P600BHTB1

НЧ 100В 60А, ХСОП8, МОЩНЫЙ МОСФЕ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RS1P600BHTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: RS1P600BHTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,9600

Дополнительная цена:$2,9600

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4080 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 35 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХСОП
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта RS1P
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18А (Та), 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,8 мОм при 18 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 НК при 10 В
N-канал 100 В 18 А (Ta), 60 А (Tc) 3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSOP