Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 7.5A (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 23,5mohm @ 7,5a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 25 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1250 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2W (TA) |
Raboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Baзowый nomer prodikta | Rs3e |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2500 |
P-Kanal 30- 7,5A (TA) 2W (TA) POWRхNOSTNOE