Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RS6G120BGTB1

НЧ 40В 210А, ХСОП8, МОЩНЫЙ МОСФЕ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RS6G120BGTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: РС6Г120БГТБ1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.5000

Дополнительная цена:$3.5000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,34 мОм при 90 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 67 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4240 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 104 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХСОП
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта РС6Г
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RS6G120BGTB1DKR
Стандартный пакет 2500
N-канал 40 В 120 А (Ta) 104 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 8-HSOP