Rohm Semiconductor RS6N120BHTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RS6N120BHTB1

НЧ 80В 135А, ХСОП8, МОЩНЫЙ МОСФЕ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RS6N120BHTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: RS6N120BHTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,9700

Дополнительная цена:$2,9700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 135А (Та), 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,9 мОм при 60 А, 6 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3420 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХСОП
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта РС6Н120
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 80 В 135 А (Ta), 120 А (Tc) 3 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSOP