Rohm Semiconductor RS6P060BHTB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RS6P060BHTB1

НЧ 100В 60А, ХСОП8, МОЩНЫЙ МОСФЕ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RS6P060BHTB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: RS6P060BHTB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.4200

Дополнительная цена:$2.4200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10,6 мОм при 60 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1560 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 73 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ХСОП
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта РС6П060
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В 60 А (Tc) 3 Вт (Ta), 73 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-HSOP