Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 150 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 35A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 6 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 41mom @ 35a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 25 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1470 PF @ 75 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3W (TA), 73W (TC) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-HSOP |
PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-RS6R035BHTB1TR |
Станодадж | 2500 |
N-kanal 150-35A (TC) 3W (TA), 73W (TC) PORхNOSTNONOE КРЕПЛЕРА 8-HSOP