Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 120A (TA), 70A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 6 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 5,2 мома @ 70a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 73 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 4650 pf @ 50 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 135W (TC) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220AB |
PakeT / KORPUES | 220-3 |
Baзowый nomer prodikta | RX3P07 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-RX3P07CBHC16 |
Станодар | 1000 |
N-kanaol 100-120a (ta), 70a (tc) 135w (tc) чereз otwerstie do-220ab