ROHM Semiconductor RXH100N03TB1

4 В привод NCH MOSFET: Мосфера

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5300

Эkst цena:$1.5300

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	10А (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	13mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 h @ 1ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11 NC @ 5 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	800 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2W (TA)
Raboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Baзowый nomer prodikta	RXH100
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

N-kanal 30- 10A (ta) 2w (ta) poverхnoStnoe