Rohm Semiconductor SCT4062KEHRC11
1200 В, 26 А, 3-контактный THD, TRENCH-ST
- Производитель: Ром Полупроводник
- Номер производителя: Rohm Semiconductor SCT4062KEHRC11
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 16
- Артикул: SCT4062KEHRC11
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115 Вт |
| Рабочая температура | 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247Н |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 846-SCT4062KEHRC11 |
| Стандартный пакет | 450 |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 26А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 81 мОм при 12 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,8 В @ 6,45 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 64 НК при 18 В |
| ВГС (Макс) | +21В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1498 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
Н-канальный, 1200 В, 26 А (Tc), 115 Вт, сквозное отверстие ТО-247Н
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Vishay Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740