| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24А (Тдж) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 18В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 81 мОм при 12 А, 18 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,8 В @ 6,45 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 64 НК при 18 В |
| ВГС (Макс) | +21В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1498 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 93 Вт |
| Рабочая температура | 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-263-7Л |
| Пакет/ключи | ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1000 |
Н-канальный, 1200 В, 24 А (Tj), 93 Вт, для поверхностного монтажа ТО-263-7L