ROHM Semiconductor SH8KE6TB1

100 В 4.5A Dual NCH+NCH, SOP8, PO

Проиджоделх: ROHM Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: ROHM Semiconductor SH8KE6TB1
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: SH8KE6TB1
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.7200

Эkst цena:$1.7200

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал (Дзонано)
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.5a (TA)
Rds on (max) @ id, vgs	58mohm @ 4,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 h @ 1ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	6,7nc @ 10 a.
Взёр.	305pf @ 50v
Синла - МАКС	1,4 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
Baзowый nomer prodikta	SH8KE6
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

Массив MOSFET 100 В 4,5A (TA) 1,4 мт (та).