Rohm Semiconductor SH8ME5TB1 - Rohm Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник SH8ME5TB1

100 В 4,5 А ДВОЙНОЙ НЧ+ПЧ, СОП8, ПО

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник SH8ME5TB1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3906
  • Артикул: SH8ME5TB1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9500

Дополнительная цена:$1,9500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация -
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,5 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 58 мОм при 4,5 А, 10 В, 91 мОм при 4,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,7 нк при 10 В, 52 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 305пФ при 50В, 2100пФ при 50В
Мощность - Макс. 2Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Базовый номер продукта SH8ME5
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 100 В, 4,5 А (Ta), 2 Вт (Ta), для поверхностного монтажа, 8-СОП