Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | - |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 45 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5a (ta), 3,5a (TA) |
Rds on (max) @ id, vgs | 46mohm @ 4,5a, 10v, 63mohm @ 3,5a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 9.6NC @ 5V, 18.2nc @ 5V |
Взёр. | 550pf @ 10v, 1700pf @ 10v |
Синла - МАКС | 1,4 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Baзowый nomer prodikta | SP8M24 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-SP8M24HZGTBCT |
Станодар | 2500 |
MOSFET Array 45V 4,5A (TA), 3,5A (TA) 1,4 мт (та)