Парметр |
Млн | ROHM Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | - |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 9А, 7а |
Rds on (max) @ id, vgs | 18mohm @ 9a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 h @ 1ma |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 21nc @ 5v |
Взёр. | 1190pf @ 10v |
Синла - МАКС | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Baзowый nomer prodikta | SP8M4 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 846-Sp8m4tbtr |
Станодар | 2500 |
MOSFET ARRAY 30V 9A, 7A 2W (TA).