STMicroelectronics STGYA120M65DF2 - STMicroelectronics IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника СТГЯ120М65ДФ2

СТГЯ120М65ДФ2

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТГЯ120М65ДФ2
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 600
  • Артикул: СТГЯ120М65ДФ2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $15.4700

Дополнительная цена:$15.4700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд М
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ДНЯО, Остановка траншейного поля
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 160 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 360 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,95 В при 15 В, 120 А
Мощность - Макс. 625 Вт
Переключение энергии 1,8 мДж (вкл.), 4,41 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 420 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 66 нс/185 нс
Условия испытаний 400 В, 120 А, 4,7 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr) 202 нс
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3 Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования МАКС247™
Базовый номер продукта СТГЯ120
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-16976
Стандартный пакет 30
IGBT NPT, Trench Field Stop 650 В 160 А 625 Вт Сквозное отверстие MAX247™