Генеральный полупроводник Vishay - Diviodы vs -gt75lp120n
VS-GT75LP120N
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Генеральный полупроводник Vishay - Diviodы vs -gt75lp120n
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 8003
- Sku: VS-GT75LP120N
- Цenobraзovanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 150 А. |
| Синла - МАКС | 543 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.35V @ 15V, 75A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 5,52 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Int-A-Pak |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Int-A-Pak |
| Baзowый nomer prodikta | GT75 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 24 |
Модуль IGBT Half Bridge 1200в 150 A 543
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F