| Параметры |
| Производитель | Санан Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Конфигурация диода | 1 пара с общим катодом |
| Технология | SiC (карбид кремния) Шоттки |
| Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 650 В |
| Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | 51А |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1,5 В при 20 А |
| Скорость | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 нс |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 40 мкА при 650 В |
| Рабочая температура - соединение | -55°С ~ 175°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-3Л |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Непригодный |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0000 |
| Другие имена | 5023-SDS065J040G3 |
| Стандартный пакет | 300 |
Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 650 В, 51 А, сквозное отверстие ТО-247-3