| Парметр | |
|---|---|
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 50 млн |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247-3 |
| Baзowый nomer prodikta | KGF65 |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 1261-KGF65A4H |
| Станодадж | 1440 |
| Млн | САНКЕН |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 65 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 120 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,37 В @ 15 В, 40a |
| Синла - МАКС | 288 Вт |
| Переклхейн | 700 мкд (wklючen), 600 мкд (vыklючen) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 75 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 40NS/100NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 40:00, 10OM, 15 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 65 А 288
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F