Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

ИПДД60Р102Г7ХТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2385
  • Артикул: ИПДД60Р102Г7ХТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.8200

Дополнительная цена:$6.8200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ G7
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 102 мОм при 7,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 390 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1320 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 139 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PG-HDSOP-10-1
Пакет/ключи Модуль 10-PowerSOP
Базовый номер продукта ИПДД60
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1700
N-канал 600 В 23 А (Tc) 139 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-HDSOP-10-1