| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 15 |
| ASTOTA - PRERESHOD | - |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 6db @ 60 Mmgц |
| Прирост | 15 дБ |
| Синла - МАКС | 350 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 8ma, 10 В |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 50 май |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО 92-3 |
| Baзowый nomer prodikta | 2N5770 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 2n5770-ndr |
| Станодадж | 2000 |
RF Transistor NPN 15V 50 мАМ 350 мВЕР.
