SemiQ GCMX080B120S1-E1 — полевые транзисторы SemiQ, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

SemiQ GCMX080B120S1-E1

НИЦ 1200В 80М МОП-транзистор СОТ-227

  • Производитель: ПолуQ
  • Номер производителя: SemiQ GCMX080B120S1-E1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 50
  • Артикул: GCMX080B120S1-E1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $23.3200

Дополнительная цена:$23.3200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ПолуQ
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 100 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 10 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 58 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1336 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 142 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Поставщик пакета оборудования СОТ-227
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Базовый номер продукта GCMX080
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1560-GCMX080B120S1-E1
Стандартный пакет 10
N-канальный 1200 В, 30 А (Tc) 142 Вт (Tc), монтаж на шасси SOT-227