SemiQ GP2T040A120H — полевые транзисторы SemiQ, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

ПолуQ GP2T040A120H

НИЦ МОП-транзистор 1200В 40М ТО-247-4Л

  • Производитель: ПолуQ
  • Номер производителя: ПолуQ GP2T040A120H
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 75
  • Артикул: GP2T040A120H
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $21.2800

Дополнительная цена:$21.2800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ПолуQ
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 52 мОм при 40 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 10 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 118 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3192 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 322 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1560-GP2T040A120H
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 63 А (Тс) 322 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4